文章和综述
此处收集了 OLED/QLED/PeLED 光学仿真和设计相关的文章，希望能为您的光学仿真带来启发。
综述
量子点发光二极管光外耦合的最新进展
有关 QLED 的大部分研究都集中在 QDs 的合成和器件本身的物理学方面，目的是最大限度地提高 QDs 的内部量子效率（IQE）。然而，鉴于最近的大多数研究已经报告了接近 100% 的 IQE，因此可以在光外耦合方面找到进一步的设计自由度。研究增强 QLED 的光耦合对于实现高效率和高亮度具有重要意义。本文讨论了 QLED 耦合技术（尤其是基于微腔结构的耦合技术）的最新基础和主要挑战。
中文报道：综述 | 韩国首尔大学Jeonghun Kwak团队：量子点发光二极管光外耦合的最新进展
文章
QLED 顶发射微腔优化
结构：glass/Ag/IZO/PEDOT:PSS/TFB/QDs/ZnMgO/Al/IZO
与底发射（BE）QLED 相比，顶发射（TE）QLED 消除了基底模式并增强了微腔效应，可以表现出更高的 LEE。在这项研究中，通过同时优化氧化铟锌 (IZO) 相位调谐层和 IZO 顶部透明电极的厚度，实现了 LEE 超过 45% 的 TE QLED。
中文报道：南方科技大学陈树明LPR：EQE突破44.5%的高效率顶发射QLED
QLED 微腔结构实现全彩调色
全彩显示是量子点（QDs）商业化的主要挑战。在本研究中，我们利用微腔的光谱缩窄现象制造了具有单层量子点的红、绿和蓝量子点发光二极管（QLEDs）。这项工作理论上分析了微腔在调整 QLED 发光颜色中的作用。通过增强微腔和适当选择的间隔厚度，光谱选择性发生变化，实现了 QLED 的全彩调谐。
QLED 顶发射近朗伯发光
尽管顶发光结构在理论上具有诸多优势，但实际应用中却存在稳定性差、光提取效率低和视角依赖性强等问题。特别是对于非红色发射的 QLED，由于电气上最优的器件结构与单模光学微腔不兼容，导致这些问题尤为突出。
中文报道：苏州大学陈崧课题组Nature Communications：超亮且稳定的顶发光量子点发光二极管：实现微小视角色移的突破性进展
QLED Tandem 结构效率优化
本研究中，我们开发了一种新的串联结构，具有最佳的电气和光学性能，以同时提高串联 QLEDs 的效率和稳定性。在电气方面，通过开发由铟锌氧化物桥接层和导电 ZnMgO 层构成的无障碍互连层，串联 QLEDs 的驱动电压显著降低。在光学方面，通过开发顶发射结构和根据理论模拟优化腔长，实现了最大光提取效率。
中文报道：Nano Lett. | 稳定且高效的叠层量子点发光二极管
PeLED 微腔调控角度分布和效率
PeLED 的效率在很大程度上受到低光出耦效率的限制。在这里，我们展示了通过采用微腔效应来增强光提取，可以实现具有 20.2% 高外量子效率和高达 114.9 mW cm−2 的超高辐射发射率的高效 PeLED。通过对角度依赖的发射特征的研究，确认了增强的微腔效应和光出耦效率。